據(jù)工商時報消息，蘋果 A14 及 A14X 處理器已在臺積電采用 5nm 制程量產(chǎn)，預(yù)期明年會推出新款桌面計算機 A14T 處理器及蘋果自行開發(fā)繪圖處理器(GPU)，同樣采用臺積電 5nm 制程投片。據(jù)供應(yīng)鏈業(yè)者消息，蘋果已著手進行新一代 A15 系列處理器開發(fā)，預(yù)期會采用臺積電 5nm 加強版(N5P)制程，明年第三季開始投片。

　　蘋果今年下半年推出新款 iPad 及 iPhone 12 產(chǎn)品線，采用自家設(shè)計的 A14 系列處理器，其中，iPad Air 及 iPhone 12 全系列都采用 A14 應(yīng)用處理器，至于即將在 11 月發(fā)表的 Arm 架構(gòu) Macbook 則會采用自行研發(fā)的 A14X 處理器。蘋果 A14 以及 A14X 均已在臺積電采用 5nm 制程量產(chǎn)。

　　蘋果已宣布將推出 Apple Silicon 的 Arm 架構(gòu)處理器以取代英特爾 x86 架構(gòu)中央處理器。事實上，蘋果自 2010 年開發(fā)出應(yīng)用在 iPhone 及 iPad 的首款 A4 應(yīng)用處理器至今，A系列芯片已經(jīng)歷 10 個世代的演進，自有 Arm 架構(gòu)芯片研發(fā)及量產(chǎn)的學(xué)習(xí)曲線同樣走了 10 年，運算效能及低功耗表現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期，預(yù)計在二年之內(nèi)把 Macbook 及 iMac 處理器轉(zhuǎn)換自家設(shè)計的 Apple Silicon。

　　除了應(yīng)用于 Macbook 的首款 Apple Silicon 處理器 A14X 已采用臺積電 5nm 量產(chǎn)，根據(jù)蘋果供應(yīng)鏈消息，蘋果明年將推出研發(fā)代號為 Lifuka 的首款自行研發(fā) GPU，以及研發(fā)代號為 Mt.Jade 的首款桌面計算機處理器 A14T，兩款芯片都會在明年上半年采用臺積電 5nm 制程投片。

　　蘋果研發(fā)團隊近期亦著手進行新一代 A15 系列處理器的開發(fā)，其中，應(yīng)用在蘋果明年新款 iPhone 13 系列 5G 智能型手機的 A15 Bionic 應(yīng)用處理器，預(yù)期會采用臺積電明年推出的 5nm 加強版 N5P 制程，明年第三季開始投片，而后續(xù)包括 A15X、A15T 等第二代 Apple Silicon 亦會隨后推出，預(yù)估同樣采用臺積電 N5P 制程量產(chǎn)。

　　法人表示，蘋果 iPhone、iPad、Macbook 及 iMac 等產(chǎn)品線已開始進入 A14 系列處理器的世代交替，而且新一代 A15 系列處理器研發(fā)符合預(yù)期，明年將會成為臺積電 5nm 最大客戶。由于包括高通、博通、邁威爾、超威、聯(lián)發(fā)科等明年也會推出 5nm 產(chǎn)品，樂觀看待臺積電明年 5nm 產(chǎn)能全年維持滿載。

　　臺積電強攻 3nm，穩(wěn)坐全球 EUV 龍頭

　　臺積電及光刻設(shè)備大廠艾司摩爾(ASML)于上周法人說明會透露更多 3nm 細(xì)節(jié)。臺積電 3nm 采用鰭式場效晶體管(FinFET)架構(gòu)及極紫外光(EUV)微影技術(shù)，邏輯密度與 5nm 相較將大幅增加 70%，且 EUV 光罩層數(shù)將倍增且超過 20 層。因此，臺積電積極采購 EUV 曝光機設(shè)備，未來三～五年仍將是擁有全球最大 EUV 產(chǎn)能的半導(dǎo)體廠，包括家登及崇越等供貨商可望受惠。

　　臺積電 EUV 光刻技術(shù)已進入量產(chǎn)且制程涵蓋7+nm、6nm、5nm。據(jù)設(shè)備業(yè)者消息，臺積電7+nm 采用 EUV 光罩層最多達四層，超威新一代 Zen 3 架構(gòu)處理器預(yù)期是采用該制程量產(chǎn)。6nm 已在第四季進入量產(chǎn)，EUV 光罩層數(shù)較7+nm 增加一層，包括聯(lián)發(fā)科、輝達、英特爾等大廠都將采用 6nm 生產(chǎn)新一代產(chǎn)品。

　　臺積電下半年開始量產(chǎn) 5nm 制程，主要為蘋果量產(chǎn) A14 及 A14X 處理器，包括超威、高通、輝達、英特爾、博通、邁威爾等都會在明年之后導(dǎo)入 5nm 制程量產(chǎn)新一代產(chǎn)品。5nmEUV 光罩層數(shù)最多可達 14 層，所以 Fab 18 廠第一期至第三期已建置龐大 EUV 曝光機臺設(shè)備因應(yīng)強勁需求，臺積電明年將推出 5nm 加強版 N5P 制程并導(dǎo)入量產(chǎn)，后年將推出 5nm 優(yōu)化后的 4nm 制程，設(shè)備業(yè)者預(yù)期 N5P 及 4nm 的 EUV 光罩層數(shù)會較 5nm 增加。

　　臺積電在日前的法說會中宣布，3nm 研發(fā)進度符合預(yù)期且會是另一個重大制程節(jié)點，與 5nm 制程相較，3nm 的邏輯密度可增加 70%，在同一功耗下可提升 15% 的運算效能，在同一運算效能下可減少 30% 功耗。3nm 制程采用的 EUV 光罩層數(shù)首度突破 20 層，業(yè)界預(yù)估最多可達 24 層。

　　ASML 執(zhí)行長 Peter Wennink 在日前法說會中指出，5nm 邏輯制程采用的 EUV 光罩層數(shù)將超過 10 層，3nm 制程采用的 EUV 光罩層數(shù)會超過 20 層，隨著制程微縮 EUV 光罩層數(shù)會明顯增加，并取代深紫外光(DUV)多重曝光制程。

　　臺積電 5nm 及 3nm 的 EUV 光罩層數(shù)倍數(shù)增加，提供 EUV 光罩盒(EUV Pod)的家登受惠最大，今、明兩年產(chǎn)能均已被大客戶預(yù)訂一空。至于 EUV 產(chǎn)能大幅提高，代理 EUV 光阻液的崇越接單暢旺，訂單同樣排到明年下半年。
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