據(jù)韓媒消息，三星電子已撤換負(fù)責(zé)開(kāi)發(fā)下一代芯片的半導(dǎo)體研發(fā)中心負(fù)責(zé)人，晶圓代工業(yè)務(wù)高層也遭洗牌，由存儲(chǔ)專家?guī)ьI(lǐng)晶圓代工事業(yè)核心部門(mén)。

　　業(yè)界分析，在即將搶先量產(chǎn) 3 納米之際，此前屢傳三星先進(jìn)制程良率不佳是最大的問(wèn)題，此番大刀闊斧進(jìn)行高層大洗牌，是為加速提升先進(jìn)制程良率，以與臺(tái)積電比拼。

　　消息稱，三星電子已任命副總裁兼 Flash 開(kāi)發(fā)部門(mén)負(fù)責(zé)人 Song Jae-hyuk 為半導(dǎo)體研發(fā)中心的新負(fù)責(zé)人。代工業(yè)務(wù)方面，指派半導(dǎo)體設(shè)備解決方案部門(mén)的全球制造與基礎(chǔ)設(shè)施副總裁 Nam Seok-woo 兼任晶圓代工制造技術(shù)中心負(fù)責(zé)人。

　　據(jù)悉，二人均為三星存儲(chǔ)制程技術(shù)發(fā)展相關(guān)專家。三星同時(shí)還任命存儲(chǔ)器制造技術(shù)中心副總裁 Kim Hong-shik 帶領(lǐng)晶圓代工技術(shù)創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)。

　　報(bào)道稱，三星預(yù)計(jì)最快本 (6) 月量產(chǎn) 3 納米制程，超車計(jì)劃下半年量產(chǎn) 3 納米制程的臺(tái)積電。
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臺(tái)積電將砸一萬(wàn)億新臺(tái)幣...

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