三星電子有限公司周四宣布，該公司已經(jīng)開(kāi)始在其位于韓國(guó)的華城工廠大規(guī)模生產(chǎn) 3 納米半導(dǎo)體芯片，是全球首家量產(chǎn) 3 納米芯片的公司。與前幾代使用 FinFET 的芯片不同，三星使用的 GAA(Gate All Around)晶體管架構(gòu)，該架構(gòu)大大改善了功率效率。

　　三星公司在一份聲明中說(shuō)，與傳統(tǒng)的 5 納米芯片相比，新開(kāi)發(fā)的第一代 3 納米工藝可以降低 45% 的功耗，性能提高 23%，并減少 16% 的面積。

　　三星公司沒(méi)有透露 3 納米公司的客戶身份，分析師表示，預(yù)計(jì)三星本身和中國(guó)虛擬貨幣挖礦機(jī)芯片設(shè)計(jì)公司上海磐矽半導(dǎo)體將成為最初的客戶之一。

　　作為對(duì)比，臺(tái)積電和英特爾分別計(jì)劃在今年下半年和明年下半年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn) 3 納米芯片。

　　IT之家了解到，臺(tái)積電(TSMC)是世界上最先進(jìn)的代工芯片制造商，控制著全球 54% 的芯片合同生產(chǎn)市場(chǎng)，蘋(píng)果和高通等沒(méi)有自己半導(dǎo)體設(shè)施的公司都是其客戶。

　　根據(jù)數(shù)據(jù)提供商 TrendForce 的數(shù)據(jù)，三星以 16.3% 的市場(chǎng)份額排名第二，去年該公司宣布了一項(xiàng) 171 萬(wàn)億韓元(約 8840.7 億元人民幣)的投資計(jì)劃，以在 2030 年之前超越臺(tái)積電成為全球頂級(jí)邏輯芯片制造商。

　　“我們將在有競(jìng)爭(zhēng)力的技術(shù)開(kāi)發(fā)方面繼續(xù)積極創(chuàng)新，”三星公司代工業(yè)務(wù)主管 Siyoung Choi 說(shuō)。

　　三星聯(lián)合首席執(zhí)行官 Kyung Kye-hyun 今年早些時(shí)候說(shuō)，其代工業(yè)務(wù)將在中國(guó)尋找新的客戶，因?yàn)閺钠?chē)制造商到家電產(chǎn)品制造商的公司都急于確保產(chǎn)能，以解決全球芯片持續(xù)短缺的問(wèn)題，它預(yù)計(jì)在中國(guó)將有高的市場(chǎng)增長(zhǎng)。

　　雖然三星是第一個(gè)生產(chǎn) 3 納米芯片的公司，但臺(tái)積電正計(jì)劃在 2025 年實(shí)現(xiàn) 2 納米芯片的批量生產(chǎn)。

　　分析師說(shuō)，三星是內(nèi)存芯片的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者，但其在更多樣化的代工業(yè)務(wù)方面已經(jīng)被領(lǐng)先者臺(tái)積電超越，使其難以跟其競(jìng)爭(zhēng)。在過(guò)去一年左右的時(shí)間里，三星與行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者競(jìng)爭(zhēng)的努力也因舊芯片的產(chǎn)量低于預(yù)期而受到阻礙。該公司在 3 月份表示，其經(jīng)營(yíng)情況已顯示出逐步改善。
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